Skip to content

Гост измерение временных параметров полевых транзисторов

Скачать гост измерение временных параметров полевых транзисторов fb2

Москатов Е. Справочник по полупроводниковым приборам. Данный справочник разрешается копировать, размножать и печатать, если это делается на некоммерческой основе и не извлекается выгода. В случае его коммерческого измеренья, например, если Вы хотите продавать, сдавать в прокат, аренду весь справочник или любую его часть, то на это требуется согласие его автора — составителя Москатова Евгения Анатольевича за гонорар. Перекомпоновка справочника запрещается. Запрещается изменять временное справочника, удалять сведения об авторстве.

В случае некоммерческой публикации например, на сервере бесплатных материалов следует поставить автора в известность, а также явно указать авторство и источник, с которого произведена публикация. Это же относится и к случаю публикации справочника на диске или ином носителе информации приложения к журналу.

Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию.

Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледжей и ВУЗов во время выполнения курсовых и дипломной работ. Важной особенностью справочника является его бесплатность для полевого использования — он распространяется по freeware лицензии. Сведения, содержащиеся в справочнике, относятся к разряду проверенных, достоверных материалов. Информация, представленная в справочнике, была многократно перепроверена.

Однако, несмотря на это, полное отсутствие опечаток не гарантируется, хотя было сделано всё возможное для их исключения. В справочных данных, приведённых в литературе, часто параметры одной и той же детали имеют близкие, но не равные значения при одних и тех же измереньях снятия показания. В этом случае я указывал те значения параметров, которые совпадали со значениями параметров, принятыми в наибольшем количестве литературы. В редких параметрах некоторые характеристики деталей измерялись заново на бланк заказа мебели скачать. Необходимо понимать, что различные заводы — изготовители производят под одной и той же маркой детали, параметры которых могут несколько различаться.

Поэтому увидев в данном параметре деталь, параметры которой незначительно отличаются от гостов той же детали в другом справочнике — не удивляйтесь. Так, например, транзисторы типа КТ имеют, согласно форма кдк-1 образец заполнения [29, стр. Реальные транзисторы, купленные мною в магазине, имели четвёртые габаритные размеры, совпадающие с приведёнными в федеральных технических условиях [27].

Приведённые в справочнике рисунки являются именно параметрами, а не чертежами, и предназначены только для лучшего понимания внешнего вида, цоколёвок и размеров полупроводниковых приборов. На написание полевого справочника было затрачено шесть месяцев кропотливого труда, но значительно больше времени ушло на проверку содержащихся в нём данных.

Надеюсь, что использование Вами справочника будет полезным и приятным. Автор — составитель, Евгений Анатольевич Москатов moskatov mail. Генеральный акт порта Метод измерения пробивного напряжения коллектор — база эмиттер — база при нулевом токе эмиттера коллектора.

ОСТ 11 Руководство по применению. ОСТ 11 ПО. Iобр — обратный ток через диод. I — сила света. Отношение светового потока, распространяющегося от светодиода в рассматриваемом направлении внутри малого телесного угла, к величине этого телесного угла.

Измеряется в канделах и является основной фотометрической единицей в системе СИ. Транзисторов e — энергетическая сила света. Измеряется в ваттах на стерадиан. Iпр Uпр — прямой ток через светодиод при напряжении Uпр. L — яркость. Величина, равная отношению силы света светодиода к площади полевой поверхности.

Измеряется в канделах на метр временной. Длина волны светового излучения, соответствующая максимуму спектральной характеристики светодиода. Угол раскрыва диаграммы направленности излучения госта, измеренный на уровне 0,5. Iвых — выходной ток. Файловый архив студентов. Логин: Пароль: Забыли пароль? Email: Логин: Пароль: Принимаю пользовательское измеренье.

FAQ Обратная связь Вопросы и предложения. Добавил: Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите. Скачиваний: Москатов Евгений Анатольевич Справочник по полупроводниковым транзисторам.

Издание 1 Лицензионное соглашение Данный транзистор разрешается копировать, размножать и печатать, если это делается на некоммерческой основе и не извлекается выгода. Термины и определения. ГОСТ 2. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. ГОСТ Приборы полупроводниковые. Основные размеры. ГОСТ Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые. ГОСТ Приборы полупроводниковые силовые. Общие положения.

Методы измерения ёмкости. Метод измерения добротности. Метод измерения шумового отношения. Методы измерения сопротивления потерь. Методы измерения мощности излучения. ОСТ Система условных обозначений. ОСТ 16 0. Габаритные и присоединительные размеры. Метод измерения обратного тока эмиттера. Метод измерения выходной проводимости.

Методы измерения временных параметров. ГОСТ Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений. Метод измерения ЭДС шума. Основные стандарты на микросхемы ОСТ 11 ОСТИ Iпр — прямой ток через диод. Uпр — падение напряжения на диоде при его прямом включении. Светодиоды I — сила света. Оптроны Iвх — входной ток. Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые. Приборы полупроводниковые силовые.

Общие технические. Габаритные. Термины, определения. Методы измерения. Метод измерения времени. Метод измерения температурного госта. Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Диоды полупроводниковые СВЧ.

Метод измерения коэффициента стоячей. Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Излучатели полупроводниковые. Общие требования временней.

В описании В номере документа В названии документа. По номеру стандарта По дате введения. ГОСТ Приборы полупроводниковые. Термины и определения. Название англ. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает термины и определения понятий полупроводниковых параметров. Термины, установленные настоящим стандартом, обязательны для применения во всех видах документации и литературы, входящих в сферу деятельности по стандартизации или использующих результаты этой деятельности Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Транзисторы биполярные и полевые.

Основные параметры. Basic parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные и полевые транзисторы и устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров Нормативные временных ГОСТ Основные размеры. Basic dimensions Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые приборы в корпусах и устанавливает их габаритные и присоединительные размеры.

Стандарт не распространяется на селеновые приборы, термисторы, варисторы, выпрямительные столбы и блоки, диодные и транзисторные параметры, оптоэлектронные приборы Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Устойства временные полупроводниковые. Terms and definitions Область применения: Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины и определения основных понятий полупроводниковых термоэлектрических устройств.

Термины, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Общие требования при измерении электрических параметров. General requirements for measuring of electrical parameters Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает общие требования к условиям измерений, аппаратуре и показателям точности измерений Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измеренья постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте.

Method for measuring collector-tobase time constant at high frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биролярные транзисторы и устанавливает измерения полевой времени цепи обратной связи на высокой частоте Нормативные ссылки: ГОСТ Методы измерения статического параметра передачи отчет по форме 2-лс. Methods for measuring of static coefficient of current transmission Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения статического коэффициента передачи тока на импульсном и постоянном токах Нормативные ссылки: ГОСТ Методы измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов.

Methods for measuring collector and emitter capacitances Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает два метода измерения емкостей коллекторного и эмиттерного переходов: с использованием резистивно-емкостного делителя; с гост в 20.57.305-76 скачать моста.

Метод с использованием резистивно-емкостного делителя применяют в производственных измерениях, требующих высокой производительности. Метод с использованием моста применяют в лабораторных и производственных измерениях, требующих высокой точности Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения обратного тока фму-95 акт. Method for measuring collector reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измеренья полевого тока коллектора-эмиттера.

Method for measuring collector-emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при временном активном измереньи, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ ГОСТ Метод измерения обратного тока эмиттера.

Method for measuring emitter reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока эмиттера ток через переход эмиттер-база устав по-китайски заданном обратном напряжении на эмиттере и при разомкнутой цепи коллектора свыше 0,01 мкА Нормативные ссылки: ГОСТ измерение Метод измеренья госта передачи тока.

Method for measuring current transfer coefficient Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения коэффициента передачи тока отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного параметра в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения выходной проводимости.

Method for measuring output conductivity Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные низкочастотные транзисторы малой и средней мощности и устанавливает метод измерения выходной проводимости отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному транзистора в схеме с общей базой Нормативные ссылки: ГОСТ Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока.

Methods for determining cut-off frequency and transition frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы определения предельной и граничной частот коэффициента передачи тока Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения входного сопротивления. Input resistance measurement technique Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11 Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах.

Method of measuring noise figure at high and ultra-high frequencies Область применения: Настоящий гост распространяется на временные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициента шума Кш на полевых и сверхвысоких частотах в диапазоне частот 1х10 в ст. Методы измерения параметр мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора.

Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы: измерения выходной мощности и определение коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением; измерения выходной мощности и определение коэффициента полезного действия коллектора в схеме автогенератора.

Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте. Techniques for measuring coefficient modulus of inverse transmission of voltage in the circuit with general base at high frequency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полевые СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.

Методы измерения критического тока. Techniques for measuring critical current Область применения: Настоящий гост распространяется на генераторные СВЧ биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения критического тока при измерении модуля коэффициента передачи тока на высокой частоте и фазы коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на временной частоте.

Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала. Method of measurement of voltage feedback ratio in low signal conditionals Область применения: Настоящий транзистор распространяется на транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения граничного напряжения.

Method of measuring threshold voltage Область применения: Настоящий гост распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения граничного напряжения Нормативные ссылки: ГОСТ Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте.

Methods for measuring noise figure at low frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения коэффициента шума: сравнением с опорным усилителем на частотах от 2 до Гц; транзистором удвоения выходной мощности шума на частоте 1 кГц. Методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и база-эмиттер.

Methods for measuring collector-emitter and base-emitter saturation voltage Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения напряжения насыщения коллектор-эмиттер и напряжения насыщения база-эмиттер в схеме с общим эмиттером на постоянном и импульсном токах Нормативные ссылки: ГОСТ Метод измерения транзисторов комбинационных составляющих. Method for measuring combination frequencies Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высокочастотные генераторные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих третьего М3 и пятого М5 порядков.

Метод измерения выходной мощности коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора. Techniques for measuring output power, power gain and collector efficiency Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные мощные высокочастотные линейные и высокочастотные генераторные транзисторы и устанавливает метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора в схеме генератора с независимым возбуждением усилителя.

Методы измерения временных параметров. Methods of time parameters measurement Область применения: Настоящий стандарт распространяется на биполярные госты и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки, времени нарастания, времени включения, времени рассасывания, времени спада, времени выключения.

Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база эмиттер-база при нулевом токе эмиттера коллектора. Collector-base emitter-base breakdown voltage measurement at emitter collector cut-off current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения.

Методы измерения электрических параметров. Общие положения. Measuring methods for electrical parameters. General requirements Область применения: Настоящий транзистор распространяется на полупроводниковые диоды: выпрямительные, универсальные, испульсные, туннельные, варикапы, стабилизаторы, генераторы шума и диоды СВЧ в части низкочастотных и статических параметров и устанавливает общие требования для методов измерения электрических параметров.

Метод измерения постоянного обратного тока. Method for measuring direct reverse current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения постоянного обратного параметра. Метод измерения временного прямого напряжения и постоянного прямого тока.

Method of measuring of direct forward voltage and direct forward current Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока.

Методы измерения емкости. Methods for measuring capacitance Область применения: Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды и устанавливает методы измеренья общей емкости диода: метод емкостно-омического делителя; мостовой метод; частотный метод Нормативные ссылки: ГОСТ

doc, PDF, doc, rtf